4%、13%、21%。这个数据记录了中国半导体设备国产化率从 2018 年至 2024 年，再到 2025 年的变化轨迹（资料来源：Bernstein / 公开机构，2026 年发布）。十多年前，国内晶圆厂内几乎每个核心设备都要依赖进口，国产化比例几乎为空白；十多年后，中微公司研发的刻蚀设备已实现批量安装于台积电 5nm 以下的先进生产线（资料来源：中微公司 / 公开消息，2026 年发布）。从无到有进入到全球最尖端的产线，这条道路是在重重封锁中被迫开辟出来的。如今，这场突围的焦点不再是“能否制造”，而是要攻克哪些技术壁垒，以及如何跨越那些依然存在的技术鸿沟。
已经取得阶段性胜利：刻蚀技术突破
先谈谈已经取得胜利的领域。刻蚀设备是国产化替代的典型代表，国产化水平达到了 31%（资料来源：公开机构，2026 年发布）。此前，全球刻蚀设备市场被泛林集团、东京电子和 Application Materials 三家公司垄断了将近九成的市场份额。然而，中微公司的等离子刻蚀设备已经成功打入了 5nm 及更先进制程的领域，并且在台积电的生产线中投入使用，北方华创的刻蚀设备也同样进入了中芯国际的先进产线。
早在 2015 年的时候，美国商务部就解除了对等离子刻蚀机出口到中国的限制，这一行动从侧面证明了国产刻蚀设备已经取得了重大进步（资料来源：公开消息，2026 年发布）。刻蚀技术被视为最难攻克的堡垒之一，而今被成功突破，这证明了在国家意志和产业联合的努力下，核心设备的技术封锁是可以被打破的。
正在努力克服的挑战：薄膜沉积和清洗
接下来讨论的是正在努力克服的挑战。薄膜沉积设备的国产化率达到了 27%，清洗设备在特定的细分领域中超过了 50%（资料来源：公开机构，2026 年发布）。北方华创已经形成了从 PVD 到 CVD、再到 ALD 的全系列产品布局，并且在 2024 年实现了超过 100 亿元的薄膜沉积设备销售收入；拓荆科技在 PECVD 设备的市场占有份额上也处于领先地位。这些环节正在从“常规制程替代”向“先进制程升级”迈进。
设备平台化也在增强竞争力。截至 2025 年上半年，北方华创的营收达到了大约 22 亿美元，同比增长了 31%，在全球设备供应商中位列第七（资料来源：中金公司，2026 年发布）。国产设备正从单一品类成长为能够提供多环节解决方案的平台型公司，客户的忠诚度也因此持续提高。
关键数据概览：中国半导体设备国产化率自 2018 年起为 4%，至 2024 年增长至 13%，预计 2025 年将达到 21%（其中刻蚀设备约 31%、薄膜沉积设备约 27%、光刻等其他设备不足 10%）；北方华创截至 2025 年上半年营收约为 22 亿美元，同比增长 31%，全球排名第七；上海微电子在 2025 年完成了首台 28nm 浸没式光刻机的交付，国产化率已超过 70%（资料来源：Bernstein / 中金公司 / 公开消息，2026 年发布）。
最难攻克的难关：光刻机
最后是那个最难跨越的技术鸿沟。光刻机、涂胶显影、以及量测检测等领域的国产化率普遍低于 10%，被视为技术替代的深水区（资料来源：公开机构，2026 年发布）。光刻机素有“工业制造的顶峰之作”的美誉，它并非单一技术的革新，而是集合了光学、精密机械、材料、控制等上百个学科的系统工程，需要全球顶级供应链的共同协作。
不过，坚冰已经开始融化。2025 年，上海微电子成功交付了首台 28nm 浸没式光刻机，国产化率超过 70%，这种设备能够支持 7nm 的多重曝光工艺（资料来源：公开消息，2026 年发布）。这一成就标志着国产光刻机从“样机”阶段进入了“可用”阶段，尽管与 ASML 领导的最先进 EUV 光刻机相比，还有很长的路要走。虽然技术难关依然存在，但已经有人开始构建通往成功的桥梁。
半导体设备的国产化替代进程，过去五年的核心任务是“从无到有，解决有无”，而未来三到五年，任务将转变为“从优到精，解决好坏”。竞争的关键不再是样机参数，而是量产环境中的稳定性、良率、成本控制，以及基于大量工艺经验的服务能力。因此，这场突围不会是一场短兵相接的战斗，而是一场考验耐力的产业持久战：攻克光刻机的技术难关，很可能需要时间、订单以及一代又一代工程师们的不懈努力。
